贴片型

VRD瞬时电压抑制器

シリコンサージアブソーバVRDは、立ち上がりの急峻なサージ電圧を吸収する為に開発されたサージアブソーバです。 VRDは、シリコン接合のアバランシェ効果によりサージに対し応答性が非常に速く、その制御電圧は、ほとんど電流に依存することなくシャープであることなど、従来のサージアブソーバの抱えていた問題点を解決した、高性能高信頼性デバイスです。

用途

・通信回線、通信装置の誘導雷サージ保護
・静電気対策
・EMP対策
・リレー、ソレノイド等、開閉サージの保護
・火災検知器等のサージ保護
・その他、異常電圧発生時の電子回路保護

双方方向型SMD VRD ZSタイプ

最大定格

項目	記号	定格	単位	条件
定格電力	P	1.0	W	ガラスエポキシ基盤実装
過渡許容電力	P_P	300	W	10/1000μs印加時
		1200	W	1.2/50μs印加時
		2000	W	8/20μs印加時
接合温度	Tj	-40〜150	℃
保存温度範囲	Tstg	-40〜150	℃
定格電圧	Vs	電気的特性に記載
逆耐圧	V_PRV	200	V	It=10μA

外形図

電気的特性

形名	項目	ブレークダウン電圧	定格電圧	最大漏れ電流	最大制限電圧／最大許容電流				最大温度係数	静電容量 (参考値)
	記号	V_B	Vs	I_Lmax	Vcmax／Ipp					C
	条件	It＝1mA	D.C.	Vs	10/1000μs		8/20μs		25℃〜50℃
	単位	V	V	μA	V	A	V	A	%/℃	pF
ZS1012		12(10.8〜13.2)	9.72	10	17.3	17.3	22.4	89.3	0.066	551
ZS1015		15(13.5〜16.5)	12.1	5	22.0	13.6	28.5	70.2	0.075	465
ZS1018		18(16.2〜19.8)	14.5		26.5	11.3	34.4	58.1	0.079	376
ZS1022		22(19.8〜24.2)	17.8		31.9	9.40	41.4	48.3	0.082	299
ZS1027		27(24.3〜29.7)	21.8		39.1	7.67	50.7	39.4	0.085	248
ZS1033		33(29.7〜36.3)	26.8		47.7	6.29	61.8	32.4	0.087	198
ZS1039		39(35.1〜42.9)	31.6		56.4	5.32	73.1	27.4	0.090	164
ZS1047		47(42.3〜51.7)	38.1		67.8	4.42	88.0	22.7	0.092	137

(Ta=25℃)

単方向型SMD VRD ZSUタイプ

最大定格

項目	記号	定格	単位	条件
定格電力	P	1.0	W	ガラスエポキシ基盤実装
過渡許容電力	P_P	300	W	10/1000μs印加時
		1200	W	1.2/50μs印加時
		2000	W	8/20μs印加時
接合温度	Tj	-40〜150	℃
保存温度範囲	Tstg	-40〜150	℃
定格電圧	Vs	電気的特性に記載
逆耐圧	V_PRV	200	V	It=10μA

外形図

電気的特性

形名	項目	ブレークダウン電圧	定格電圧	最大漏れ電流	最大制限電圧／最大許容電流				最大温度係数	静電容量 (参考値)
	記号	V_B	Vs	I_Lmax	Vcmax／Ipp					C
	条件	It＝1mA	D.C.	Vs	10/1000μs		8/20μs		25℃〜50℃
	単位	V	V	μA	V	A	V	A	%/℃	pF
ZS1012U		12(10.8〜13.2)	9.72	10	17.3	17.3	22.4	89.3	0.066	1102
ZS1015U		15(13.5〜16.5)	12.1	5	22.0	13.6	28.5	70.2	0.075	929
ZS1018U		18(16.2〜19.8)	14.5		26.5	11.3	34.4	58.1	0.079	751
ZS1022U		22(19.8〜24.2)	17.8		31.9	9.40	41.4	48.3	0.082	598
ZS1027U		27(24.3〜29.7)	21.8		39.1	7.67	50.7	39.4	0.085	497
ZS1033U		33(29.7〜36.3)	26.8		47.7	6.29	61.8	32.4	0.087	395
ZS1039U		39(35.1〜42.9)	31.6		56.4	5.32	73.1	27.4	0.090	328
ZS1047U		47(42.3〜51.7)	38.1		67.8	4.42	88.0	22.7	0.092	274

(Ta=25℃)

逆阻止型SMD VRD ZSDタイプ

最大定格

項目	記号	定格	単位	条件
定格電力	P	1.0	W	ガラスエポキシ基盤実装
過渡許容電力	P_P	300	W	10/1000μs印加時
		1200	W	1.2/50μs印加時
		2000	W	8/20μs印加時
接合温度	Tj	-40〜150	℃
保存温度範囲	Tstg	-40〜150	℃
定格電圧	Vs	電気的特性に記載
逆耐圧	V_PRV	200	V	It=10μA

外形図

電気的特性

形名	項目	ブレークダウン電圧	定格電圧	最大漏れ電流	最大制限電圧／最大許容電流				最大温度係数	静電容量 (参考値)
	記号	V_B	Vs	I_Lmax	Vcmax／Ipp					C
	条件	It＝1mA	D.C.	Vs	10/1000μs		8/20μs		25℃〜50℃
	単位	V	V	μA	V	A	V	A	%/℃	pF
ZS1012D		12(10.8〜13.2)	9.72	10	17.3	17.3	22.4	89.3	0.066	30.2
ZS1015D		15(13.5〜16.5)	12.1	5	22.0	13.6	28.5	70.2	0.075	29.1
ZS1018D		18(16.2〜19.8)	14.5		26.5	11.3	34.4	58.1	0.079	28.2
ZS1022D		22(19.8〜24.2)	17.8		31.9	9.40	41.4	48.3	0.082	27.3
ZS1027D		27(24.3〜29.7)	21.8		39.1	7.67	50.7	39.4	0.085	26.4
ZS1033D		33(29.7〜36.3)	26.8		47.7	6.29	61.8	32.4	0.087	25.5
ZS1039D		39(35.1〜42.9)	31.6		56.4	5.32	73.1	27.4	0.090	24.8
ZS1047D		47(42.3〜51.7)	38.1		67.8	4.42	88.0	22.7	0.092	24.0